Prof. Dr. Martin Gutsche

Leiter Thin Films
Martin Gutsche

Kompetenzen

  • Prozesstechnologie
  • Dünnschicht- und Beschichtungstechnik
  • Mikrostrukturierung und Plasmaätzen
  • Halbleitertechnik
  • Industrieprojekte
+41 81 755 34 68
E-Mail

Dr. Martin Gutsche ist seit August 2005 Wissenschaftlicher Leiter am Institut für Mikro- und Nanotechnologie der Hochschule NTB. Sein Hauptinteresse gilt der Prozess- und Materialtechnologie für die Herstellung mikrotechnischer Systeme. Zuvor war Martin Gutsche bei Infineon Technologies in München langjährig als Projektmanager für die Entwicklung von High-k Materialien zuständig, bevor er dann zum Schluss seiner Industrietätigkeit als Manager für Benchmarking von DRAM-Speicher-Technologie verantwortlich zeichnete. Er initiierte bei Infineon die Beschichtungstechnik der Atomic Layer Deposition (ALD). Von 1996 bis 1998 arbeitete Martin Gutsche als Long Term Delegate für Siemens Microelectronics in der gemeinsam mit IBM geführten DRAM-Entwicklungsallianz in Fishkill und Yorktown, NY, USA, auf dem Gebiet der Plasmaätztechnologie für Halbleiteranwendungen. Martin Gutsche promovierte in Physik an der Technischen Universität München. Er ist Autor bzw. Koautor von über 30 technischen Publikationen und hält mehr als 40 Patente.

Institut

MNT

Das Institut für Mikro- und Nanotechnologie betreibt angewandte Forschung und Entwicklung gemeinsam mit und für unsere industriellen Partner und anderen Forschungsinstitutionen. Unsere Kompetenzen decken einen sehr breiten Bereich der Mikrotechnik und  weiterer Ingenieurdisziplinen ab.

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