Trockenchemische Strukturierung

DRIE SPTS Pegasus

DRIE STS Pegasus
DRIE Lines and Spaces
DRIE Pillars
Prozesse:Gas Chopping oder kontinuierliche Prozesse
Substratgrössen:100 mm, 150 mm und 200 mm
Quelle:PEGASUS ICP Quelle (5kW 13.56MHz RF-Generator)
LF oder RF Platen Power (<300W)
Substrathalterung:elektrostatisch
Temperaturen:Kammerwände 120°C bzw. 140°C
Platen -10°C bis 25°C
Erreichbare Ätzraten:bis zu 25 μm/min (stark designabhängig)
Prozessgase:C4F8, SF6, O2, CF4, CHF3, N2, Ar
Hauptanwendung:Tiefenätzen von Silizium mit sehr hohen Ätzraten
Hersteller:STS Surface Technology Systems (neu: SPTS)

AOE SPTS

AOE STS
Prozesse:kontinuierliche Prozesse
Substratgrössen:100 mm und 150 mm
Quelle:

ICP Quelle (3kW 13.56MHz RF-Generator)
RF Platen Power (<300W)

Substrathalterung:mechanisches Clamping
Temperaturen:-20°C bis 40°C
Erreichbare Ätzraten:bis zu 0.5 µm/min
Prozessgase:C4F8, O2, CF4, He, N2, H2
Endpunktdetektion:laserinterferometrisch
Hauptanwendung:Ätzen von SiO2, Si3N4 oder SixOyNz
Hersteller:STS Surface Technology Systems (neu: SPTS)

 

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Plasmareiniger LFC063 CW

Plasmareiniger LFC063 CW
Prozess:Argon-Wasserstoff-Plasmareinigung
Substratgrössen:max. 300 mm Wafer
1 Stück/Run
Prozessgase:Ar, ArH2
Quelle:Hohlkathodenplasmaquelle mit RF-Anregung
Hauptanwendung:Substratvorbehandlung vor Beschichtungs- und Bondingprozessen
Zusatz:Integrierte Heizplatte für speziell entwickelten Plasmareflow-Prozess von Solder Bumps
Hersteller:UCP

 

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Barrel-Asher

Barrel-Asher
Prozess:Schonende Plasmareinigung mittels O2-Plasma im Faraday-Käfig
Substratgrössen:ausgelegt für 100 mm Wafer, jedoch sehr flexibel für Kleinteile
Prozessleistung:max. 800 W
Prozessgase:O2, N2, SF6, CF4
Anwendung:Reinigungsprozesse, Strippen von Photoresist, isotropes Trockenätzen

 

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Tepla 100-E

Plasmaverascher Tepla 100-E
Prozesse:Plasmaveraschung, Reinigung
Substratgrössen:100 mm (rund), max. 130x200 mm
Quelle:

Mikrowellen-Plasmaquelle

Leistung:max. 400 W
Hersteller:Tepla

 

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