Dünnschichttechnologie
PVD Sputtertool BAS 450
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| DC-Magnetron Sputtern: | Leitfähige Materialien |
| RF-Sputtern: | Elektrisch nicht oder schlecht leitfähige Materialien |
| Materialien: | Al, Ti, Cr, Au, W/Ti, Cu, TaSi, Si, Ag, Al/Si, andere Materialien auf Anfrage |
| Substratgrössen: | 100 mm (rund), max. 120x250 mm 9 Stück/Run |
| Prozessgase: | Ar, N2, O2 (reaktives Sputtern) |
PVD Sputtertool G&S
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| Prozess: | DC- und RF-Magnetron Sputtern |
| Materialien: | Pt, Ag, Al, AlCu, AlSi, Au, Au/Ni, Cr, Cu, Ni, Nb, Pd, TaSi, Ti, W/Ti, TiSi, andere Materialien auf Anfrage |
| Substratgrössen: | 100 mm (rund) 3 Stück/Run, jedoch sequenzielles Beschichten |
PVD Bedampfungstool BAK 550
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| Bedampfen: | Verschiedenste Materialien mittels Elektrohnenstrahl oder aus Schiffchen |
| Vorbereitung: | Substrateaktivierung / Vorreinigung durch O2-Glimmen möglich |
| Materialien: | Cu, Au, Ag, Ti, Cr, Ta, Pt, Al, Ni, SiO2, Al2O3, Si, Ta, Rh |
| Substratgrössen: | Substrate flexibel auf Kalotte montierbar, 100 mm Wafer max. 15 Stück/Run, 150 mm Wafer max. 4 Stück/Run |
PECVD Nextral D200
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| Beschichten: | Abscheidung von Siliziumnitrid, -oxid und davon beinahe beliebige Mischverhältnisse von Oxinitriden |
| Materialien: | SixNy, SixOy, SixNyOz |
| Substratgrössen: | 100 mm Wafer max. 4 Stück/Run, 150/200 mm Wafer 1 Stück/Run |
| Anwendung: | Optische Funktionsschichten (Brechungsindex stufenlos zwischen SiO2 und SixNy variieren) |
Tempress
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| Prozesse: | Oxidation, Drive-In/Annealing |
| Materialien: | SiO2 |
| Substratgrössen: | 100 mm |
| Temperatur: | max. 1150 °C |
| Anwendung: | SiO2 als Hartmaske für Ätzprozesse Drive-In/Annealing nach Implantation |