Institutsleiter

Kompetenzen:
- NanoBiotechnologie / Life-Sciences / Mikrofluidik
- Soft Lithographie, Nanotechnologien
- Oberflächen- & Grenzflächenwissenschaft
- Chemie des Materialabtrages/Ätzen
- Patentwesen, Businesspläne, Projektanträge

Dr. Bernard studierte Elektrotechnik an der Eidgenös­sischen Technischen Hochschule (ETH) und Biochemie/Immunologie an der Universität in Zürich, wo er 1993 mit dem Diplom abschloss. 1998 erlangte Dr. Bernard den Doktortitel für Arbeiten im Gebiet der Biosensorik und Mikrostrukturierung von biologischen Molekülen, die am IBM Forschungslabor in Rüschlikon und an der Universität Zürich durchgeführt wurden. Danach schloss er sich als Postdoktorand der Gruppe "Microcontact Processing" am IBM Forschungslabor an und beschäftigte sich mit der Entwicklung miniaturisierter medizin-diagnostischer Tests. 2001 half Dr. Bernard beim Aufbau einer Startup-Firma in Tübingen, Deutschland, und leitete dort die nanotechnologische Entwicklung einer Diagnostikplattform auf der Basis der CompactDisk-Technologie. Er gründete im Anschluss daran seine eigene Firma (indigon GmbH) ebenfalls in Tübingen, wo er sich mit Auftragsentwicklung und Forschung sowie mit Technologie-Transfer beschäftigte. Seit Juni 2005 leitet Dr. Bernard das Institut für Mikro- und Nanotechnologie an der NTB. Dr. Bernard hält 6 Patente und hat über 25 wissenschaftliche Publikationen veröffentlicht.

Kontakt: +41-81-7553 466  andre.bernard(at)ntb.ch

Stv. Institutsleiter

Kompetenzen:
- Prozesstechnologie
- Dünnschicht- und Beschichtungstechnik
- Mikrostrukturierung und Plasmaätzen
- Halbleitertechnik
- Industrieprojekte

Dr. Martin Gutsche ist seit August 2005 Wissenschaftlicher Leiter am Institut für Mikro- und Nanotechnologie der Hochschule NTB. Sein Hauptinteresse gilt der Prozess- und Materialtechnologie für die Herstellung mikrotechnischer Systeme. Zuvor war Martin Gutsche bei Infineon Technologies in München langjährig als Projektmanager für die Entwicklung von High-k Materialien zuständig, bevor er dann zum Schluss seiner Industrietätigkeit als Manager für Benchmarking von DRAM-Speicher-Technologie verantwortlich zeichnete. Er initiierte bei Infineon die Beschichtungstechnik der Atomic Layer Deposition (ALD). Von 1996 bis 1998 arbeitete Martin Gutsche als Long Term Delegate für Siemens Microelectronics in der gemeinsam mit IBM geführten DRAM-Entwicklungsallianz in Fishkill und Yorktown, NY, USA, auf dem Gebiet der Plasmaätztechnologie für Halbleiteranwendungen. Martin Gutsche promovierte in Physik an der Technischen Universität München. Er ist Autor bzw. Koautor von über 30 technischen Publikationen und hält mehr als 40 Patente.

Kontakt: +41-81-7553 468  martin.gutsche(at)ntb.ch

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