Drahtbonden

Drahtbonden ist neben dem Die Bonden das Verfahren, um die Pads eines Die mit dem Leadframes, der Leiterplatte oder mit dem Gehäuse elektrisch zu verbinden. Zu unserem Leistungsangebot gehört das Drahtbonden mittels 22 μm bis 75 μm dickem Golddraht. Das Know-how reicht von US Ball-Wedge Verbindungen auf konventionellen Leiterplattenbeschichtungen aus Nickel und Gold (ENIG) bis hin zu kunden-spezifischen Beschichtungen aus AlSi2%, Ag/Au, Ag, sowie bedingt für Cu. Mittels des am NTB vorhandenen Equipments können Ball Pad Pitch (BPP) von 65 μm realisiert werden.
Wir stellen auch mittels Drahtbonden erzeugte Stud Bumps für das Flip Chip Löten zur Verfügung.

Bei Produkten stehen in der Regel die Zuverlässigkeit der mechanischen Verbindung sowie der gute elektrische Kontakt im Vordergrund. Zur Bestimmung der mechanische Integrität der Drahtverbindungen setzen wir daher auf Zugtest und Schertest.

Drahtbonden: Ball on Pad mit einem BPP von 65um.
Drahtbonden: Ball
Drahtbonden: Wedge
Chip-On-Board Assembly (COB)